耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端（Gate）不加电压时有导电沟道存在，而增强型MOS管只有在开启后，才会出现导电沟道；两者的控制方式也不一样，耗尽型MOS管的VGS（栅极电压）可以用正、零、负电压控制导通，而增强型MOS管必须使得VGS>VGS（th）（栅极阈值电压）才行
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件
二极管框架工艺产品直接用自动化切筋成型，5个产品一次成型。打扁工艺产品需经引线打扁、再切筋，每次50个成型；由于每一台打扁模具不可能完全一致，每台未必每次能够打到根部，给切筋带来困难，容易造成打裂本体、引脚歪斜不对称、引脚宽度不一致等等，甚至容易造成内部芯片损伤，导致漏电流偏大或正向阻抗偏大
