耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端(Gate)不加电压时有导电沟道存在,而增强型MOS管只有在开启后,才会出现导电沟道;两者的控制方式也不一样,耗尽型MOS管的VGS(栅极电压)可以用正、零、负电压控制导通,而增强型MOS管必须使得VGS>VGS(th)(栅极阈值电压)才行
肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件
二极管框架工艺产品直接用自动化切筋成型,5个产品一次成型。打扁工艺产品需经引线打扁、再切筋,每次50个成型;由于每一台打扁模具不可能完全一致,每台未必每次能够打到根部,给切筋带来困难,容易造成打裂本体、引脚歪斜不对称、引脚宽度不一致等等,甚至容易造成内部芯片损伤,导致漏电流偏大或正向阻抗偏大